本發(fā)明涉及碳化硅晶體制備技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種,鉭制結(jié)構(gòu)、鉭制結(jié)構(gòu)的制備方法、測溫孔結(jié)構(gòu)、坩堝組件、測溫孔防堵方法、碳化硅晶體制備方法。其中,坩堝組件包括:坩堝,包括坩堝體和坩堝蓋;坩堝體由第一石墨制成,坩堝體包括相互之間可拆卸連接的坩堝上截和坩堝下截;坩堝蓋由第二石墨制成,與坩堝體可拆卸連接并與坩堝體形成容置腔體;測溫孔結(jié)構(gòu),測溫孔結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述坩堝的上下兩端。通過上述技術(shù)方案,利用碳化鉭熔點(diǎn)高于碳化硅的升華溫度這一特性,且碳化鉭在高溫下對(duì)硅與氫具有的化學(xué)惰性,有效避免了富硅氣體對(duì)鉭制結(jié)構(gòu)內(nèi)壁的腐蝕,阻礙碳化硅生成在測溫孔中,這就不能提供大量的形核點(diǎn)供碳化硅后續(xù)的長大,避免了測溫孔的堵塞。
聲明:
“鉭制結(jié)構(gòu)、測溫孔結(jié)構(gòu)、坩堝組件、測溫孔防堵方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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