本發(fā)明涉及一種核探測器碲鋅鎘晶片表面鈍化 的方法，具體的說就是核探測器碲鋅鎘晶片制造過程中最后一 道工序鈍化工藝的改進方法，屬半導體探測材料制造技術(shù)領(lǐng) 域。本發(fā)明方法是先按傳統(tǒng)工藝將碲鋅鎘晶片進行拋光、表面 腐蝕、沉積金電極和表面鈍化，包括有四個工藝程序，其特征 為，在最后的表面鈍化程序中采用兩步法，兩步法的鈍化工藝 如下：先用KOH－KCl溶液進行表面處理，獲得接近化學計量 比的碲鋅鎘晶片表面，然后再用 NH4F/H2O2混合溶液進行鈍化生 成氧化層，這樣既可獲得化學計量比較好的碲鋅鎘晶片表面， 又可在該表面形成起保護作用的高阻氧化層，從而可改善碲鋅 鎘探測器的性能。