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測試薄膜殘余應力及其沿層深分布的方法

1003 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 07:25:57

本發(fā)明涉及一種測試薄膜殘余應力及其沿層深分布的方法。采用光杠桿系統(tǒng)測量試片曲率半徑，由激光器產生的入射光束，依次經由“半透鏡”與試片表面的透射和反射，到達硅光電池接收器。反射光束隨拱形試片水平運動而偏轉，試片的移動距離l與硅光電池隨光束偏轉而移動的距離D存在線性關系，由此關系的斜率可計算試片曲率半徑。利用化學或電化學等方法將試片上的薄膜逐層剝除，求出每次剝除前后試片曲率半徑的當量變化量 Ri*，并將該變化量，基片彈性常數(shù) Es、 vs和基片厚度 hs，及每次剝除薄膜的厚度 hl代入式，即可求得每層薄膜的殘余應力，從而得到薄膜的殘余應力及其沿層深方向的分布。本發(fā)明中提出的光杠桿系統(tǒng)測量試片曲率半徑方法，設計新穎，測量精度高。

聲明：

“測試薄膜殘余應力及其沿層深分布的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)