本發(fā)明涉及一種異質(zhì)外延生長的氮化鎵晶體的 位錯密度的測定方法,特征在于用光輔助濕法刻蝕結(jié)合原子力 顯微鏡對刻蝕的表面位錯腐蝕坑密度統(tǒng)計,測出GaN外延層 的位錯密度;其具體測定步驟是:(1)先按照異丙醇、丙酮、乙 醇的順序?qū)aN樣品進行化學(xué)清洗清洗后用大量去離子水洗凈,用高純N2吹干;(2)將樣品用石蠟或夾子固定在載玻片上,放入盛有1-10M KOH溶液中,采用磁子攪拌,在Cd-He激光器提供的激光照射下,進行濕法刻蝕,時間為5-10分鐘;(3)取出刻蝕樣片,用去離子水清洗,高純N2吹干,然后用原子力顯微鏡,進行刻蝕表面的位錯腐蝕坑統(tǒng)計,估算出GaN外延層的位錯密度。本發(fā)明提供的位錯密度測定方法可靠、有效,與其它方法,如XRD位錯密度估算方法相比,一致性好。
聲明:
“異質(zhì)外延生長的氮化鎵晶體的位錯密度測定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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