本發(fā)明涉及一種高性能的紫外光探測(cè)器的制備 方法,屬于無(wú)機(jī)非金屬材料器件制造工藝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明方 法采用傳統(tǒng)的、現(xiàn)有的熱絲化學(xué)氣相淀積裝置,在硅片襯底上 (100)晶面上淀積金剛石薄膜,再在此金剛石薄膜層上蒸鍍一定 厚度的金電極,并經(jīng)光刻工藝形成指寬和間距均為25微米的 叉指狀梳狀電極,并用鎂鋁絲引線引出,最終制成金剛石膜紫 外光探測(cè)器。此金剛石膜紫外光探測(cè)器能達(dá)到的性能指標(biāo)為: 暗電流<1nA/cm2,響應(yīng)時(shí)間接 近10-10秒,其綜合性能優(yōu)于其 他紫外光探測(cè)器。
聲明:
“紫外光探測(cè)器的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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