本發(fā)明提供一種用以偵測(cè)靶標(biāo)(324)的系統(tǒng)(300)及方法,用于在離子流體中偵測(cè),其中,
電化學(xué)式延伸柵極晶體管(electrochemical?extended?gate?transistor;EET)系統(tǒng)包括:場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field?effect?transistor;FET)(310),其具有柵極(312)、源極(316)以及漏極(314);恒電位儀(330),其具有工作電極(332)、對(duì)電極(334)以及參考電極(336);其中,該工作電極(332)與偵測(cè)區(qū)(320)耦接,且該對(duì)電極(334)與該柵極(312)耦接;其中,該偵測(cè)區(qū)(320)、該柵極(312)以及該參考電極(336)置于離子流體(302)中;其中,該恒電位儀(330)經(jīng)配置,以電化學(xué)方法在該離子流體(302)中產(chǎn)生氧化還原反應(yīng),進(jìn)而偵測(cè)該靶標(biāo)(324)。
聲明:
“用于在離子流體中偵測(cè)的系統(tǒng)及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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