本發(fā)明涉及紫外探測(cè)器的制備方法，特別是一種制備太陽(yáng)盲紫外探測(cè)器的方法，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法在藍(lán)寶石襯底上制備氧鋅鎂膜層，在該氧鋅鎂膜層上再蒸鍍Au膜層，用濕法刻蝕Au膜層制備出叉指形電極，所述的氧鋅鎂膜層是在以下工藝條件下獲得的具有單一立方相的、其吸收邊從220nm到260nm的MgZnO薄膜：生長(zhǎng)溫度為300℃～500℃，生長(zhǎng)室真空度為2×104Pa，載氣為99.9999％高純氮?dú)?，以二茂鎂作為鎂源，二乙基鋅作為鋅源，通過(guò)流量控制使生長(zhǎng)室中的Zn、Mg摩爾濃度比為Zn/Mg＝0.4～1，氧氣壓力為2.5×105Pa、流量為550ml/min。本發(fā)明方法所獲得的立方相MgZnO合金薄膜，不出現(xiàn)分相，具有很好的重復(fù)性；其紫外/可見(jiàn)抑制比大于3個(gè)量級(jí)，光響應(yīng)截止邊在230－280nm連續(xù)可調(diào)。