本發(fā)明涉及一種基于紅外吸收光譜的高嶺石羥基插層/接枝率測試方法,包括以下步驟:(1)溴化鉀壓片法制備樣品;(2)利用擬合方法將高嶺石的中紅外光譜的羥基混合峰擬合為4個單峰,(3)以特征峰在3620.0cm
?1的單峰為參考峰,以特征峰在3650.0cm
?1附近,3668.0cm
?1附近,3694.8cm
?1附近三個單峰之一為定量峰;分別測試高嶺石原礦樣品和待測樣品參考峰峰面積和定量峰的峰面積;設置相關系數(shù)
根據(jù)公式
計算得到樣品礦石的羥基接枝率。采用本發(fā)明方法可以快速,準確的利用中紅外光譜測試高嶺石的羥基插層/接枝率,對高嶺石的化學行為研究,納米形貌改造,礦物定量改性方法研究具有重要的意義。
聲明:
“基于中紅外吸收光譜的高嶺石羥基插層/接枝率測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)