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基于電子束等離子刻印制備自旋顯微微懸臂探測器方法

923 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:27:46

本發(fā)明公開了一種基于電子束等離子刻印制備自旋顯微微懸臂探測器方法,首先低溫低壓化學LPCVD方法基片鍍制二氧化硅膜。其次,等離子體RIE刻蝕鍍二氧化硅膜的SOI基片刻蝕窗口陣列。第三、濕刻基片。堿性溶液腐蝕等離子體開窗的WAFER窗口。第四、窗口SI薄膜涂覆光阻膠。第五、EBL制備了振蕩器的形狀,電子束曝光,電子顯微刻蝕系統(tǒng)MASH掩膜刻蝕。第六、等離子體RIE刻蝕刻除SI(無光刻膠部分)刻出振蕩器微結構。最后等離子體RIE刻蝕清除探測器表面的光刻膠,刻出完全振蕩器微結構。本發(fā)明制備的探測器品質因數(shù)高、分辨率高、倔強系數(shù)優(yōu)、結構緊湊、靈敏度高,制備具有工作可靠參數(shù)優(yōu)的特點。

聲明：

“基于電子束等離子刻印制備自旋顯微微懸臂探測器方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)