本發(fā)明公開了一種日盲型紫外探測器及其制備方法,包括襯底和緩沖層,所述緩沖層的上面設(shè)置有吸收層,吸收層的上面設(shè)置有SiO2層和肖特基接觸電極。制備步驟包括,在緩沖層上面,采用金屬有機化學(xué)氣相沉積方法生長一層非故意摻雜的非故意摻雜的300nm厚的n-Al0.6Ga0.4N吸收層,載流子濃度約為8×1015cm-3;再沉積SiO2層、制作肖特基接觸金屬電極、再電鍍壓焊點、劃片、引線鍵合、封裝。本發(fā)明的特點在于器件的響應(yīng)波長為200~272nm,在日盲范圍內(nèi)。
聲明:
“AlGaN基MSM結(jié)構(gòu)日盲型紫外探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)