本發(fā)明提供一種鍺基探測(cè)器的集成方法,包括以下步驟:提供第一襯底,在第一襯底上形成氮化硅波導(dǎo)結(jié)構(gòu);提供第二襯底,在第二襯底上外延鍺以形成鍺薄膜層,在鍺薄膜層上繼續(xù)外延鍺以形成鍺基外延層,并化學(xué)機(jī)械拋光;在鍺基外延層上沉積高k金屬氧化物以形成高k金屬氧化物層;將第二襯底的高k金屬氧化物層與第一襯底鍵合;減薄第二襯底至第一厚度,腐蝕掉第一厚度的第二襯底;化學(xué)機(jī)械拋光以去除鍺薄膜層;在鍺基外延層上制備形成鍺基探測(cè)器。本發(fā)明因?yàn)槿コ说唾|(zhì)量的鍺薄膜層,因此提高了后續(xù)形成的光電器件的性能。
聲明:
“鍺基探測(cè)器的集成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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