本發(fā)明提供了一種臺(tái)面式硅摻砷阻擋雜質(zhì)帶探測(cè)器及其制備方法,包括在高導(dǎo)硅襯底上外延生長(zhǎng)硅摻砷吸收層,摻雜砷離子;在吸收層上外延生長(zhǎng)高阻硅阻擋層;再通過光刻、離子注入、快速熱退火、深硅刻蝕、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、反應(yīng)離子束刻蝕、濕法腐蝕、電子束蒸發(fā)等工藝制作正、負(fù)電極。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:采用化學(xué)氣相沉積法外延生長(zhǎng)硅摻砷吸收層,便于增加吸收層厚度和調(diào)節(jié)摻雜濃度,提高吸收層的吸收效率及器件響應(yīng)率,避免了離子注入引起的損傷,降低了暗電流;將負(fù)電極設(shè)置在高導(dǎo)硅襯底上,縮短了光生載流子的輸運(yùn)路徑,降低了光生載流子被高導(dǎo)硅襯底中雜質(zhì)和缺陷俘獲的幾率,進(jìn)一步降低器件的暗電流,提高響應(yīng)率。
聲明:
“臺(tái)面式硅摻砷阻擋雜質(zhì)帶探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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