本發(fā)明涉及一種基于Pt納米顆粒修飾GaN納米線的紫外光電探測(cè)器及其制造方法,屬于光電探測(cè)器領(lǐng)域。本發(fā)明是通過(guò)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)GaN納米線陣列,然后在GaN納米線陣列上沉積一層Pt納米顆粒,最后利用光刻技術(shù)在單根沉積有Pt納米顆粒的GaN納米線兩端沉積一層金屬電極。紫外探測(cè)器的光電性能測(cè)試結(jié)果顯示,相比于沒(méi)有Pt納米顆粒修飾的GaN納米線紫外光電探測(cè)器,有Pt納米顆粒修飾的GaN納米線紫外光電探測(cè)器顯示出更大的光電流、更高的光響應(yīng)度、外量子效率、開(kāi)/關(guān)比,以及更快的開(kāi)光速度和更好的光電流穩(wěn)定性,具有很好的潛在應(yīng)用。另外,該器件制造工藝簡(jiǎn)單、重復(fù)性強(qiáng)、工藝可控性強(qiáng)、成本低。
聲明:
“基于Pt納米顆粒修飾GaN納米線的紫外光電探測(cè)器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)