本發(fā)明一種基于二維材料Te/MoS2異質(zhì)結(jié)的光探測器的制備方法,包括以下步驟:采用機(jī)械剝離或化學(xué)氣相沉積制作含有二維MoS2的襯底一;制備含有二維Te的襯底二;轉(zhuǎn)移二維Te形成異質(zhì)結(jié);光探測器件制備;對制備出的光探測器件進(jìn)行高壓退火處理;在器件制備過程中通過減小Te/MoS2異質(zhì)結(jié)中Te和MoS2的層間間距,將具有典型I型能帶排列結(jié)構(gòu)的Te/MoS2異質(zhì)結(jié)向II型能帶排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,顯著提高了基于二維材料Te/MoS2異質(zhì)結(jié)光探測器的光探測靈敏度。
聲明:
“基于二維材料Te/MoS2異質(zhì)結(jié)的光探測器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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