本發(fā)明公開(kāi)一種變摻雜變組分AlGaAs/GaAs核輻射探測(cè)器，該探測(cè)器結(jié)構(gòu)為PIN結(jié)構(gòu)，以n型GaAs作為襯底層，在GaAs襯底層上采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)順序生長(zhǎng)變摻雜變組分n型AlGaAs?N層、本征GaAs?I層、變摻雜變組分p型AlGaAs?P層和p型GaAs歐姆接觸帽層；在變摻雜變組分AlGaAs/GaAs材料上沉積SiO2鈍化層，在變摻雜變組分AlGaAs/GaAs材料及襯底上利用電子束蒸發(fā)技術(shù)分別形成p型和n型電極層；對(duì)形成的電極進(jìn)行退火處理。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：使得P區(qū)和N區(qū)內(nèi)部產(chǎn)生內(nèi)建電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的電子、空穴分別向兩端定向運(yùn)動(dòng)，增加收集效率，提高探測(cè)器的靈敏度以及探測(cè)效率。該探測(cè)器可用于α射線和X射線等高能射線的探測(cè)。