本發(fā)明公開了高響應(yīng)度β?Ga2O3基異質(zhì)結(jié)自供能紫外探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用,屬于半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。該紫外探測(cè)器由下至上包括依次層疊設(shè)置的襯底、第一電極、p型寬禁帶導(dǎo)電薄膜、本征β?Ga2O3薄膜耗盡層、n?β?Ga2O3:Sn導(dǎo)電薄膜、n+?β?Ga2O3:Sn電子收集層、MgO:Na或MgO:K薄膜鈍化層和第二電極,p禁帶導(dǎo)電薄膜的禁帶寬度大于3.0eV。本發(fā)明利用化學(xué)氣相沉積、金屬有機(jī)物氣相外延、脈沖激光沉積等真空制膜方法得到高響應(yīng)度β?Ga2O3基異質(zhì)結(jié)自供能紫外探測(cè)器,有效提高了β?Ga2O3基異質(zhì)結(jié)薄膜紫外探測(cè)器的響應(yīng)度,應(yīng)用在日盲波段探測(cè)方面前景廣闊。
聲明:
“高響應(yīng)度β-Ga2O3基異質(zhì)結(jié)自供能紫外探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)