十二面體形狀甲胺溴化鉛
鈣鈦礦單晶[110]晶面的可控生長(zhǎng)方法及其X射線探測(cè)器應(yīng)用,屬于X射線探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用調(diào)整投料原料非化學(xué)計(jì)量比同時(shí)控制溶液條件及生長(zhǎng)溫度的方法,使鈣鈦礦單晶晶面的生長(zhǎng)得以有效調(diào)控,體現(xiàn)單晶的各向異性。所得[110]晶面相比立方體形狀暴露的[100]晶面有更低的缺陷態(tài)密度、更大的電阻率及更好的載流子傳輸特性。本發(fā)明制備的X射線探測(cè)器在120keV硬射線下的靈敏度達(dá)到3928.3μC/Gy
air/cm
2,高于[100]晶面X射線探測(cè)器的靈敏度;且在劑量率為8.8μGy
air/s下,相較于醫(yī)療成像用CsI閃爍體,表現(xiàn)出較強(qiáng)的信噪比,為設(shè)計(jì)高性能X射線探測(cè)器提供了依據(jù)。同時(shí)探測(cè)器的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作容易。
聲明:
“十二面體形狀甲胺溴化鉛鈣鈦礦單晶[110]晶面的可控生長(zhǎng)方法及其X射線探測(cè)器應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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