本發(fā)明提供了一種光電探測器及其制作方法,該光電探測器的制作方法包括:在襯底上依次生長第一半導(dǎo)體接觸層和介質(zhì)層;去除部分介質(zhì)層,形成沿靠近第一半導(dǎo)體接觸層方向延展的開孔,以限定外延層的生長區(qū)域,其中,開孔貫穿介質(zhì)層;根據(jù)外延層的生長區(qū)域,采用沉積的方式在第一半導(dǎo)體接觸層上選擇性生長臺(tái)型形狀的外延層;去除第一半導(dǎo)體接觸層上剩余的介質(zhì)層,并在襯底上形成接觸金屬層。該光電探測器可以解決干法刻蝕造成物理缺陷和反應(yīng)離子污染的問題以及化學(xué)濕法腐蝕工藝造成的一致性差的問題。該光電探測器的制作方法制作工藝簡單,由該制作方法制作的光電探測器具有臺(tái)型結(jié)構(gòu),且一致性好,可靠性高。
聲明:
“光電探測器及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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