本發(fā)明提供一種低溫
多晶硅薄膜晶體管探測(cè)器及其制備方法,所述低溫多晶硅薄膜晶體管探測(cè)器利用低溫多晶硅薄膜晶體管工藝制作。先利用化學(xué)氣相沉淀,在玻璃基板上沉積非晶硅薄膜層,利用準(zhǔn)分子激光煺火的方法將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч璞∧?,并制作多晶硅薄膜晶體管。在制作探測(cè)器時(shí)同時(shí)將一些驅(qū)動(dòng)電路集成在玻璃基板上,從而獲得高集成度,降低探測(cè)器的成本,同時(shí)獲得更好的性能。
聲明:
“低溫多晶硅薄膜晶體管探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)