本申請涉及光電探測領(lǐng)域,具體而言,涉及一種基于SnS2/MoS2的PEC型光電探測器及SnS2/MoS2異質(zhì)結(jié)的制備方法?;赟nS2/MoS2的PEC型光電探測器包括電解質(zhì)槽、參比電極、工作電極、對電極,參比電極、工作電極、對電極的固定端均通過卡孔固定在電解質(zhì)槽的蓋子上,自由端均懸于電解質(zhì)槽內(nèi),且不與電解質(zhì)槽的底部接觸,工作電極包括導電基底、MoS2層、SnS2層,MoS2層與導電基底接觸,SnS2層設置于MoS2層遠離導電基底的一側(cè),即工作電極的工作物質(zhì)為SnS2/MoS2異質(zhì)結(jié)。SnS2/MoS2異質(zhì)結(jié)的制備步驟如下:S1,使用化學氣相沉積法在導電基底上制備MoS2納米片;S2,以步驟S1得到的生長有MoS2納米片的導電基底為沉積基底生長的SnS2納米片。
聲明:
“基于SnS2/MoS2的PEC型光電探測器及SnS2/MoS2異質(zhì)結(jié)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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