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基于二維硒化鈷薄膜的室溫寬光譜光電探測器及制備方法

701   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:28:47
本發(fā)明公開了一種基于二維硒化鈷薄膜的室溫寬光譜光電探測器及制備方法,利用雙離子束濺射技術(shù)在襯底上濺射生長一定厚度的鈷膜,在此基礎(chǔ)上,以氯化鈷粉末、硒粉為反應(yīng)源,以氬氣為載氣,利用化學(xué)氣相沉積法制備硒化鈷薄膜。在硒化鈷薄膜上設(shè)置與其歐姆接觸的金屬電極為源漏電極,構(gòu)成二維硒化鈷薄膜基光電探測器。所得的硒化鈷薄膜基光電探測器在室溫下首次可實(shí)現(xiàn)450納米到10.6微米激光的寬光譜響應(yīng)波段,其響應(yīng)率高達(dá)2.58瓦/安。本發(fā)明提供了一種新型高性能二維材料基室溫寬光譜光電探測器,拓展了二維硒化鈷材料在光電領(lǐng)域及磁光領(lǐng)域的應(yīng)用。
聲明:
“基于二維硒化鈷薄膜的室溫寬光譜光電探測器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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