本發(fā)明屬于探測(cè)器陣列的制作工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高占空比背照式GaN探測(cè)器陣列及其制作方法,所述制作方法包括在GaN外延片上濺射Ni/Au層;在所述Ni/Au層上采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉淀法PECVD生長SiN
x/SiO
2膜;在所述SiN
x/SiO
2膜上涂覆光刻膠層;曝光顯影,采用接觸式曝光模式曝光探測(cè)器GaN外延片;采用電磁耦合等離子體ICP方法刻蝕SiN
x/SiO
2膜;采用電磁耦合等離子體ICP方法刻蝕GaN層;采用氫氟酸去除SiN
x/SiO
2膜及殘余光刻膠;本發(fā)明本發(fā)明具有成本低、效率高、制作工藝簡單等優(yōu)點(diǎn),在制作背照式GaN探測(cè)器陣列的技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)有突出的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
聲明:
“高占空比背照式GaN探測(cè)器陣列及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)