本發(fā)明提供了一種監(jiān)測(cè)退火過(guò)程溫度的方法,其包括通過(guò)低溫化學(xué)氣相沉積方式在晶圓上生長(zhǎng)第一厚度的未摻雜的
多晶硅層;以第一高溫退火的方式高溫氧化具有多晶硅層的晶圓;對(duì)高溫氧化后的晶圓進(jìn)行離子植入,并對(duì)其進(jìn)行第一次退火處理;以及測(cè)量所述晶圓的電阻變化,從而獲得對(duì)第一高溫退火過(guò)程溫度的監(jiān)測(cè)。通過(guò)本方法,所用的測(cè)試晶圓可重復(fù)利用,有效地節(jié)約了成本。
聲明:
“監(jiān)測(cè)退火過(guò)程溫度的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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