本發(fā)明公開了一種硒化銻自驅(qū)動(dòng)薄膜光電探測(cè)器的制備方法，方法包括步驟：提供鍍鉬玻璃襯底；在鍍鉬玻璃襯底上磁控濺射Sb前驅(qū)體膜，對(duì)Sb前驅(qū)體膜進(jìn)行硒化處理，得到Sb2Se3薄膜；采用化學(xué)水浴法在Sb2Se3薄膜上沉積CdS緩沖層；采用溶液旋涂和熱處理向CdS緩沖層中引入Al3+，得到Al3+摻雜的CdS緩沖層；在Al3+摻雜的CdS緩沖層上磁控濺射沉積ITO窗口層，熱蒸發(fā)Ag電極，得到硒化銻自驅(qū)動(dòng)薄膜光電探測(cè)器。本發(fā)明采用磁控濺射法和硒化處理自組裝生長Sb2Se3薄膜，能明顯降低Sb2Se3薄膜的深能級(jí)缺陷密度，減少光生載流子復(fù)合；Al3+摻雜能降低界面缺陷密度、增加耗盡層寬度以及優(yōu)化p?n結(jié)界面能帶排列，本發(fā)明制得的Sb2Se3自驅(qū)動(dòng)薄膜光電探測(cè)器能實(shí)現(xiàn)無外加偏壓自驅(qū)動(dòng)工作，響應(yīng)度和探測(cè)度大幅提升。