本發(fā)明公開(kāi)了一種制備單層過(guò)渡金屬二硫化物柔性光電探測(cè)器的方法,包括如下步驟:首先以過(guò)渡金屬氧化物和升華硫?yàn)樵?,采用化學(xué)氣相沉積法制備單層薄膜;接著采用真空鍍膜法,以銅網(wǎng)為硬質(zhì)掩膜版在PDMS?1柔性基底上圖形化金屬電極;最后將單層過(guò)渡金屬二硫化物薄膜從生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到柔性基底,此過(guò)程先將單層過(guò)渡金屬二硫化物轉(zhuǎn)移到PMMA薄膜上,再將PMMA粘附有單層過(guò)渡金屬二硫化物薄膜的那一面貼附到PDMS?2上,溶解掉PMMA薄膜后以PDMS?2為支撐層,通過(guò)定位轉(zhuǎn)移法將單層過(guò)渡金屬二硫化物薄膜轉(zhuǎn)移到柔性基底PDMS?1上。本發(fā)明光電探測(cè)器表現(xiàn)出良好的光敏特性,本發(fā)明拓寬了單層過(guò)渡金屬二硫化物光電探測(cè)器在柔性電子設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域。
聲明:
“制備單層過(guò)渡金屬二硫化物柔性光電探測(cè)器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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