本發(fā)明涉及一維硫碘化銻半導(dǎo)體納米線、光電探測器及其制備方法,具體的,以碘化銻和硫化銻粉末為原料,通過化學(xué)氣相輸運(yùn)的方法制備大量一維硫碘化銻納米線,并制備了高性能光電探測器,其光電探測器從下到上依次為:重?fù)诫s硅、薄層二氧化硅絕緣層、兩側(cè)金屬電極以及位于兩側(cè)金屬電極之間的一維硫碘化銻半導(dǎo)體納米線。本發(fā)明獲得的一維光電探測器具有高響應(yīng)度,高開關(guān)比和高探測率等特點(diǎn)。由于一維納米線的本身結(jié)構(gòu)的各向異性,可將探測器拓展到偏振光探測。
聲明:
“一維硫碘化銻半導(dǎo)體納米線光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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