本發(fā)明公開(kāi)一種硫化銻薄膜的制備方法,其中,制備硫化銻薄膜的原料為只經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單篩選的
輝銻礦物。本發(fā)明利用輝銻礦物中硫化銻與其他雜質(zhì)的熔點(diǎn)差異,結(jié)合管式退火爐鍍膜及退火一步處理,制備具有可以與以高純硫化銻(≥99.999%)作為原料所制得的薄膜相媲美的薄膜。在制備硫化銻薄膜過(guò)程中,本發(fā)明在于既可避免制備高純硫化銻原材料過(guò)程中所產(chǎn)生的環(huán)境污染問(wèn)題,也可解決輝銻礦制備硫化銻薄膜時(shí)存在雜質(zhì)和少硫的問(wèn)題,且工藝流程簡(jiǎn)單高效,大大降低制備成本,穩(wěn)定可靠,應(yīng)用范圍廣泛,適用于絕大部分需要鍍膜硫化銻的基底,是一種節(jié)能、高效、綠色、環(huán)保的方法。
聲明:
“硫化銻薄膜的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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