本發(fā)明涉及一種太赫茲探測(cè)器件制備技術(shù)領(lǐng)域的分爐外延型硅基阻擋雜質(zhì)帶太赫茲探測(cè)器的制備方法,包括如下步驟:將背封高導(dǎo)硅襯底放入化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)爐腔中;在高導(dǎo)硅襯底正面生長(zhǎng)重?fù)诫s吸收層;將重?fù)诫s吸收層生長(zhǎng)完畢的硅片從爐腔中取出,去除底板邊緣區(qū)域沉積的摻雜
多晶硅及爐腔殘留的雜質(zhì);將硅片重新放回爐腔,去除硅片表面的氧化層后清潔爐腔;在重?fù)诫s吸收層上繼續(xù)生長(zhǎng)本征阻擋層;將本征阻擋層生長(zhǎng)完畢的硅片從爐腔中取出,對(duì)硅片進(jìn)行微納加工及器件封裝。本發(fā)明中吸收層與阻擋層分爐進(jìn)行外延生長(zhǎng),有利于提高阻擋層的表面電阻率及減小吸收層和阻擋層的過(guò)渡區(qū)寬度,從而有效降低器件暗電流及延伸探測(cè)波長(zhǎng)。
聲明:
“分爐外延型硅基阻擋雜質(zhì)帶太赫茲探測(cè)器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)