本實(shí)用新型提供了一種測(cè)量關(guān)鍵尺寸的掃描電子顯微鏡校準(zhǔn)用樣品,包括襯底、第一氧化層、
多晶硅結(jié)構(gòu)、第二氧化層和氮化鉭層,所述第一氧化層設(shè)在所述襯底上,所述多晶硅結(jié)構(gòu)設(shè)在所述第一氧化層與所述第二氧化層之間,所述氮化鉭層設(shè)在所述第二氧化層上,本實(shí)用新型通過多晶硅結(jié)構(gòu)與氮化鉭層的引入,尤其是氮化鉭的引入,使得其有效地避免了“電荷效應(yīng)”對(duì)校準(zhǔn)用樣品的影響,減少了碳?xì)浠衔镂廴镜牡矸e,增加了測(cè)量的準(zhǔn)確性,提高了測(cè)量關(guān)鍵尺寸的掃描電子顯微鏡校準(zhǔn)用樣品的使用壽命。與此同時(shí),通過第二氧化層的引入,有效避免了氮化鉭與多晶硅的化學(xué)反應(yīng)。
聲明:
“測(cè)量關(guān)鍵尺寸的掃描電子顯微鏡校準(zhǔn)用樣品” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)