本發(fā)明涉及光電探測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種日盲二維位置敏感探測(cè)器,包括電極組、氧化鎵層、多晶金剛石襯底和背電極;所述第一電極、第二電極、第三電極、第四電極以及背電極均為金電極;所述背電極位于多晶金剛石襯底之下;所述的氧化鎵層位于多晶金剛石襯底之上;所述電極組位于氧化鎵層之上;本發(fā)明使用化學(xué)穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、高性能、高抗輻射能力、探測(cè)精確度高、光電轉(zhuǎn)換能力強(qiáng)的寬禁帶
半導(dǎo)體材料氧化鎵和金剛石制備日盲二維位置敏感探測(cè)器,從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)日盲光位置的直接探測(cè)與定位。
聲明:
“日盲二維位置敏感探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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