本發(fā)明提供一種集成硅光調(diào)制器和鍺硅探測器的硅光集成
芯片及制備方法,利用刻蝕工藝形成的凹槽來定義氮化硅波導(dǎo)的位置和尺寸,之后通過化學機械拋光將多余的氮化硅移除,凹槽內(nèi)的氮化硅形成光波導(dǎo),因此本發(fā)明氮化硅波導(dǎo)的制備能夠與包含硅光調(diào)制器和鍺硅探測器的硅光集成芯片制作工藝相兼容,并且可以靈活控制氮化硅波導(dǎo)和硅波導(dǎo)之間的距離,從而實現(xiàn)硅波導(dǎo)與氮化硅波導(dǎo)之間可控的耦合強度和耦合損耗;利用底層的硅波導(dǎo)和上層的氮化硅波導(dǎo),可以組合設(shè)計多種性能更好的無源器件,比如更低耦合損耗的耦合器、更低傳輸損耗的波導(dǎo)等等。
聲明:
“集成硅光調(diào)制器和鍺硅探測器的硅光集成芯片及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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