本發(fā)明提供了一種鉍硒硫半導(dǎo)體、制備及廣譜、超快偏振光電探測器。該鉍硒硫半導(dǎo)體為晶體,鉍硒硫半導(dǎo)體的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為BixSeySz,其中,1≤x≤2,0<y≤3,0<z≤3,且3x=2y+2z。上述的鉍硒硫半導(dǎo)體中,Bi2Se3半導(dǎo)體具有正交晶系結(jié)構(gòu),通過將S摻雜到Bi2Se3中,生長出BixSeySz半導(dǎo)體。相比Bi2Se3半導(dǎo)體,BixSeySz半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化和豐富,因此,以其構(gòu)建的光電器件暗電流較低,探測范圍更廣,有助于實現(xiàn)光電器件的高性能。
聲明:
“鉍硒硫半導(dǎo)體、制備及廣譜、超快偏振光電探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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