本發(fā)明涉及一種多參數(shù)水質(zhì)監(jiān)測集成微陣列電極及制備方法,其特征在于所述的微陣列電極制作在氧化硅片上。該陣列電極襯底為Pt薄膜,光敏性聚酰亞胺為絕緣層,光刻將電極位點裸露出來,其他部分絕緣;采用
電化學(xué)修飾的方法在裸露電極上電沉積Ag/AgCl和IrOx薄膜分別形成參比電極和pH測試電極,以實現(xiàn)對溫度、氧化還原電位、電導(dǎo)率和pH的測定。制作包括微陣列電極的制作,Ag/AgCl參比電極的制備以及pH電極的制備。本發(fā)明所述微電極便于集成化和微型化。
聲明:
“多參數(shù)水質(zhì)監(jiān)測集成微陣列電極及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)