本發(fā)明公開了一種基于硅納米線陣列的自驅(qū)動(dòng)肖特基結(jié)近紅外光電探測(cè)器及其制備方法,其特征在于:是在硅基底的表面通過銀輔助的化學(xué)刻蝕法形成有硅納米線陣列;在硅納米線的外表面通過液相還原反應(yīng)均勻包覆有金屬銅膜;金屬銅膜與硅納米線形成肖特基結(jié);在硅基底的背面刷涂有In/Ga導(dǎo)電膠層,與硅基底形成歐姆接觸。本發(fā)明的肖特基結(jié)近紅外光電探測(cè)器,制備過程簡(jiǎn)單易行,器件性能優(yōu)越。
聲明:
“基于硅納米線陣列的自驅(qū)動(dòng)肖特基結(jié)近紅外光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)