本發(fā)明公開了一種非晶ZnSnO薄膜晶體管型紫外探測(cè)器及其制備方法。所述的非晶ZnSnO薄膜晶體管型紫外探測(cè)器包括:低阻Si為襯底,同時(shí)為柵極;SiO2薄膜為絕緣層;非晶ZnSnO薄膜為溝道層;Al薄膜為源極和漏極。非晶ZnSnO薄膜采用溶液法制備,將Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3分別溶解于二甲氧基乙醇溶劑中,加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驅(qū)體溶液,經(jīng)攪拌、混合、陳化后形成溶膠,直接旋涂于襯底上,并進(jìn)行退火處理,得到非晶ZnSnO薄膜。非晶ZnSnO薄膜化學(xué)式為ZnxSn1-xO,其中0< x< 1;薄膜厚度為100~200nm,可見光透過率> 80%。
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“非晶ZnSnO薄膜晶體管型紫外探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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