本發(fā)明公開了一種預測SiCO
負極材料性能模擬方法,其特征在于,按下述步驟進行:①基于原子替換法建立低碳含量SiCO結(jié)構(gòu)初始模型;②基于模擬退火法建立含有自由碳的高碳含量SiCO結(jié)構(gòu)初始模型;③確定SiCO與鋰的原子比例進行嵌鋰;④對嵌鋰后的SiCO結(jié)構(gòu)進行
電化學性能計算。本發(fā)明具有良好的準確性和高效性,可有效提高新型電極材料的開發(fā)效率。
聲明:
“預測SiCO負極材料性能模擬方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)