本申請(qǐng)公開(kāi)了一種銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測(cè)器及制備方法,涉及
半導(dǎo)體材料。銦鎵氮鉍材料包括襯底層、緩沖層和銦鎵氮鉍材料。銦鎵氮鉍材料是將銦原子和鉍原子同時(shí)摻入GaN合金中形成的,能夠調(diào)節(jié)母體晶格常數(shù)以及電子性質(zhì),從而提高其發(fā)光效率。本申請(qǐng)通過(guò)調(diào)節(jié)摻入的銦原子和鉍原子的濃度,有效調(diào)節(jié)GaN材料的禁帶寬度,實(shí)現(xiàn)從可見(jiàn)光到近紅外波段的覆蓋,以應(yīng)用于光電子器件。采用銦原子及鉍原子的共摻雜可使材料更易生長(zhǎng)并更加穩(wěn)定。本申請(qǐng)可采用常規(guī)分子束外延、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積等多種方法進(jìn)行生長(zhǎng),結(jié)構(gòu)和操作工藝簡(jiǎn)單,易于控制。
聲明:
“銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測(cè)器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)