本發(fā)明提供了一種空腔形成方法、熱電堆紅外探測器及其制作方法,所述空腔形成方法在硅襯底中形成N阱,在N阱包圍的硅襯底中形成N型摻雜的網(wǎng)格結(jié)構(gòu),并進(jìn)行
電化學(xué)腐蝕形成多孔硅層,再通過外延工藝使多孔硅層發(fā)生重構(gòu)形成封閉的空腔。本發(fā)明無需通過長時(shí)間的濕法腐蝕或干法刻蝕工藝來形成空腔,并且空腔的形成是在金屬淀積之前,不存在常規(guī)濕法腐蝕硅襯底形成空腔的工藝中對金屬的腐蝕問題,此外,該空腔的形成方法比較簡單,可與常規(guī)CMOS工藝兼容,適于規(guī)?;a(chǎn)。
聲明:
“空腔形成方法、熱電堆紅外探測器及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)