本發(fā)明涉及光
電化學(xué)分析領(lǐng)域,具體涉及一種納米復(fù)合電極材料及制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明通過在直立有序生長的TiO
2NTs表面負(fù)載MoS
2QDs,然后采用恒電位電化學(xué)沉積技術(shù)將Au NPs沉積在MoS
2QDs/TiO
2NTs,并將阿特拉津適配體負(fù)載在Au NPs/MoS
2QDs/TiO
2納米
復(fù)合材料表面,制備了阿特拉津光電化學(xué)傳感器,用于對環(huán)境中阿特拉津的測定。該光電化學(xué)傳感方法不僅利用了光電化學(xué)方法超高的靈敏度,而且結(jié)合適配體高的特異性,實(shí)現(xiàn)了對復(fù)雜環(huán)境中阿特拉津的高靈敏、高選擇性檢測,在環(huán)境分析領(lǐng)域具有非常好的應(yīng)用前景。
聲明:
“納米復(fù)合電極材料及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)