針對現(xiàn)有的制作工藝形成的溝槽型功率晶體管易出現(xiàn)漏電流過大問題,本發(fā)明人對其產(chǎn)生原因進(jìn)行了分析,發(fā)現(xiàn)其中一個原因?yàn)椋簩β示w管溝槽外的
多晶硅和柵極氧化層進(jìn)行平坦化處理時,上述平坦化處理一般采用研磨法,例如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP),對于柵極氧化層較薄的情況,上述研磨會由于終點(diǎn)難以檢測,造成功率晶體管溝槽開口處的多晶硅及周圍外延層出現(xiàn)過度研磨,從而造成功率晶體管的溝道過短,出現(xiàn)短溝道效應(yīng)。針對上述問題,本發(fā)明提出一種新的溝槽型功率晶體管及其制作方法,其制作方法在外延層上至少形成研磨終止層,利用其對研磨過程進(jìn)行終點(diǎn)檢測,從而避免過度研磨問題,也避免了制作的功率晶體管的短溝道效應(yīng),減小了源-漏漏電流。
聲明:
“溝槽型功率晶體管及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)