一種區(qū)熔定向凝固法制備磁驅動記憶合金單晶, 它是采用區(qū)熔定向凝固的方法,通過控制熔區(qū)長度、溫度梯度和晶體生長速度,制備Ni50-58Mn20-30Ga20-25合金單晶,其工藝路線是:(1)真空感應法熔煉母合金,背底真空度達到10-2-10-3Pa,然后充氬氣至0.3-0.7×103Pa;(2)真空感應爐里直接鑄棒;(3)進行區(qū)熔定向凝固,控制熔區(qū)長度在10-20毫米,凝固溫度梯度在200-1000K/cm,晶體生長速度為1-20mm/min;(4)制備出NiMnGa合金單晶;(5)用化學分析或電子探針(能譜)測定化學成分;(6)用熱分析系統(tǒng)測量馬氏體相變溫度,磁致伸縮測量系統(tǒng)測定磁驅動效應。采用區(qū)熔定向凝固的方法,有效地制備出NiMnGa合金單晶,合金沿軸向的成分偏差可控制在0.3%范圍內,馬氏體相變溫度偏差小于5℃。
聲明:
“區(qū)熔定向凝固法制備磁驅動記憶合金單晶” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)