本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)整CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)后晶圓膜厚均勻性的方法，調(diào)整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法包括：提供一待拋光晶圓；對(duì)晶圓進(jìn)行CMP制程；在晶圓上取多個(gè)測(cè)量點(diǎn)，多個(gè)測(cè)量點(diǎn)在晶圓上陣列排布；測(cè)量每個(gè)測(cè)量點(diǎn)處晶圓的膜厚值；在晶圓上以晶圓的圓心為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系，其中每個(gè)測(cè)量點(diǎn)在坐標(biāo)系內(nèi)的橫坐標(biāo)為X，縱坐標(biāo)為Y；根據(jù)橫縱坐標(biāo)繪制統(tǒng)計(jì)圖，每個(gè)測(cè)量點(diǎn)在統(tǒng)計(jì)圖中的縱坐標(biāo)為對(duì)應(yīng)測(cè)量點(diǎn)的膜厚值，每個(gè)測(cè)量點(diǎn)在統(tǒng)計(jì)圖中的橫坐標(biāo)為觀察分析統(tǒng)計(jì)圖中曲線輪廓，并調(diào)整對(duì)晶圓的各區(qū)的拋光壓力。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的調(diào)整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法，具有便于控制拋光壓力、晶圓表面厚度均勻性好等優(yōu)點(diǎn)。