本發(fā)明公開了一種利用高溫回轉(zhuǎn)爐生長高質(zhì)量拓?fù)浒虢饘買nBi單晶的方法，塊體是In、Bi元素以1:1化學(xué)計(jì)量比形成的化合物，是具有第二類狄拉克點(diǎn)的拓?fù)浒虢饘俨牧希ㄟ^低場(chǎng)磁輸運(yùn)測(cè)試，塊體單晶具有大的載流子濃度1018cm?3和高遷移率，14T未飽和磁阻MR的值到達(dá)12000％，低溫1.5K、高場(chǎng)60T出項(xiàng)明顯振蕩；同時(shí)角分辨光電子能譜(ARPES)和X射線衍射光譜儀(XRD)的表征，證明了其很高的質(zhì)量，ARPES分析在ΓXΓ和MXM方向上發(fā)現(xiàn)2條nodal?line。制備方法是高溫融合后，以1℃/min的速率緩慢降溫至室溫結(jié)晶形成大塊單晶，所獲得的單晶表征ARPES和XRD信號(hào)均與文獻(xiàn)記載相吻合，確定為高質(zhì)量的塊體，同時(shí)材料制備參數(shù)易調(diào)整，設(shè)備簡(jiǎn)單，易操作，生長過程可控，工藝重復(fù)性好，具有較高的制備效率。