利用光刻技術(shù)在圓片上形成半導(dǎo)體器件的方法包括以下幾個步驟:在涂敷裝置(5)內(nèi)的所述圓片上涂上(13)一層光刻涂層;在曝光工具(4)中,透過標(biāo)度線照射對所述圓片進(jìn)行曝光(14);穩(wěn)固(15)所述光刻涂層以激活化學(xué)反應(yīng),并在顯影裝置(6)中的所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)沖洗所述光刻涂層以顯出圓片表面的預(yù)設(shè)光刻涂層圖案;在穩(wěn)固裝置(7)內(nèi)穩(wěn)固(16)光刻涂層以加固圓片表面的所述圖案;在測量工具中對所述圓片表面的光刻涂層圖案進(jìn)行(17)測量檢測;在處理單元(9)中對所述圓片進(jìn)行蝕刻、濕制程或離子注入(18),其中,在沖洗和熱烘所述光刻涂層之后,與所述穩(wěn)固裝置(7)相鄰的原子顯微檢測模塊(11)上的原子顯微鏡立即進(jìn)行所述測量檢測。
聲明:
“在圓片和儀器上形成半導(dǎo)體器件的光刻方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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