本發(fā)明屬于微
納米材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種硼摻雜金剛石微納米材料及其制備方法。本發(fā)明的柱狀陣列結(jié)構(gòu)硼摻雜金剛石微納米材料是在硅基底上制備的,其特征在于:硅基底為采用光刻技術(shù)在硅上形成單個(gè)柱高為5~20μm、柱直徑為1~10μm、柱間距為2~10μm的柱狀陣列結(jié)構(gòu),在硅基底上先超聲接種金剛石種子,再采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法,形成厚度為0.5~2μm的硼摻雜金剛石膜,硼摻雜金剛石柱軸向相互平行,形成有序的柱狀陣列結(jié)構(gòu),單個(gè)硼摻雜金剛石柱高度為5.5~22μm、直徑為2~14μm、柱間距為0.4~8μm。本發(fā)明的硼摻雜金剛石微納米材料比表面積大,可用于
電化學(xué)檢測等方面。
聲明:
“柱狀陣列結(jié)構(gòu)硼摻雜金剛石微納米材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)