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岡田酸三維金納米柱陣列免疫電極的制備方法

1069   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:33:26
本發(fā)明涉及一種岡田酸三維金納米柱陣列免疫電極的制備方法,其采用化學(xué)沉積?電沉積方法在孔徑為80~200?nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金,得到三維金納米柱陣列電極;在三維金納米柱陣列電極表面通過循環(huán)伏安法電聚合修飾聚硫堇,形成聚硫堇/三維金納米柱陣列電極;在聚硫堇/三維金納米柱陣列電極上結(jié)合戊二醛,再將岡田酸抗體固定到戊二醛上,形成岡田酸抗體/戊二醛/聚硫堇/三維金納米柱陣列電極;最后用牛血清蛋白封閉電極,制得岡田酸三維金納米柱陣列免疫電極。本發(fā)明電極具有三維結(jié)構(gòu),表面積大,制備簡單,穩(wěn)定性好,抗體固定牢固,操作簡便,檢測(cè)限低,靈敏度高,可實(shí)現(xiàn)快速檢測(cè)。
聲明:
“岡田酸三維金納米柱陣列免疫電極的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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