本發(fā)明提供一種微型金剛石陣列電極及其制備方法。包括:在絕緣層上制備鉭金屬層;在鉭金屬層上制備氮化硅保護層并進行第一圖形化;在氮化硅保護層上制備二氧化硅犧牲層并進行第二圖形化;在二氧化硅犧牲層上制備金剛石薄膜層并進行第三圖形化。本發(fā)明采用MEMS技術(shù)結(jié)合二氧化硅犧牲層的圖形化處理將BDD薄膜加工成超微電極陣列,進而提高BDD電極在
電化學(xué)檢測中的響應(yīng)電流密度、提高信噪比和降低檢測限??刂齐姌O間距與其特征尺寸之比大于10,使得電極表面的離子擴散以非線性擴散為主,具有傳質(zhì)速度快、電流密度高和歐姆壓降小等特點,在提高電化學(xué)檢測的響應(yīng)電流、提高信噪比和降低檢測限方面具有獨特的優(yōu)勢。
聲明:
“微型金剛石陣列電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)