3N4納米片修飾的TiO2納米管陣列及其制備方法,化學分析"> 3N4納米片修飾的TiO2納米管陣列及其制備方法,本發(fā)明涉及納米材料和光電催化及光電化學檢測技術領域，具體涉及一種g?C3N4納米片修飾的TiO2納米管陣列，細小彌散的g?C3N4納米片均勻分布于TiO2納米管陣列內部。本發(fā)明的g?C3N4納米片修飾TiO2納米管陣列是通過在陽極氧化法制備的TiO2納米管陣列表面氣相沉積g?C3N4納米片獲得。相比較其它方法制備的g?C3N4/TiO2復合納米管陣列，氣相沉積的g?C3N4納米片尺寸更小，與TiO2納米管之間接觸充分、結合良好、不易脫落且分布均勻，既能夠提">

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g-C3N4納米片修飾的TiO2納米管陣列及其制備方法

1024   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-19 07:33:28
本發(fā)明涉及納米材料和光電催化及光電化學檢測技術領域，具體涉及一種g?C3N4納米片修飾的TiO2納米管陣列，細小彌散的g?C3N4納米片均勻分布于TiO2納米管陣列內部。本發(fā)明的g?C3N4納米片修飾TiO2納米管陣列是通過在陽極氧化法制備的TiO2納米管陣列表面氣相沉積g?C3N4納米片獲得。相比較其它方法制備的g?C3N4/TiO2復合納米管陣列，氣相沉積的g?C3N4納米片尺寸更小，與TiO2納米管之間接觸充分、結合良好、不易脫落且分布均勻，既能夠提高TiO2納米管陣列在紫外光照射下的光電化學性能，又能拓寬其光譜響應范圍，可有效應用于光電催化和光電化學檢測技術領域。
聲明：
“g-C3N4納米片修飾的TiO2納米管陣列及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。
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