3V四方相單晶顆粒的方法,化學(xué)分析"> 3V四方相單晶顆粒的方法,一種制備Al3V四方相單晶顆粒的方法,所述Al3V四方相單晶顆粒原料的化學(xué)成分的原子配比為:Al?84?86%、V?14?16%,其制備方法主要是將高純Al粉、V粉研磨混合均勻后裝入硬質(zhì)合金模具中,在液壓壓片機(jī)中3?5MPa下加壓200?300s,制得預(yù)備塊體;將預(yù)備塊體裝入氮化硼坩堝中,與預(yù)烘干的管狀氧化鋯,石墨爐體、氮化硼管、氧化鋯片、氮化硼片、葉臘石以及石墨片組裝并一同置于六面頂壓機(jī)中,設(shè)定壓力為3?5GPa,加熱至1340?1450℃,保溫30?6">

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制備Al3V四方相單晶顆粒的方法

1055   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:36:08
一種制備Al3V四方相單晶顆粒的方法,所述Al3V四方相單晶顆粒原料的化學(xué)成分的原子配比為:Al?84?86%、V?14?16%,其制備方法主要是將高純Al粉、V粉研磨混合均勻后裝入硬質(zhì)合金模具中,在液壓壓片機(jī)中3?5MPa下加壓200?300s,制得預(yù)備塊體;將預(yù)備塊體裝入氮化硼坩堝中,與預(yù)烘干的管狀氧化鋯,石墨爐體、氮化硼管、氧化鋯片、氮化硼片、葉臘石以及石墨片組裝并一同置于六面頂壓機(jī)中,設(shè)定壓力為3?5GPa,加熱至1340?1450℃,保溫30?60min;待降至1100?1200℃,保溫1?2h。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、能耗低、效率高、可操作性強(qiáng),實(shí)驗(yàn)設(shè)備較為常規(guī),配合單晶X射線衍射儀及相關(guān)軟件,能夠快速準(zhǔn)確的解析出單晶結(jié)構(gòu),為結(jié)構(gòu)分析和性能優(yōu)化從晶體結(jié)構(gòu)上提供支持。
聲明:
“制備Al3V四方相單晶顆粒的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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