公開了電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法以及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。所述電容器結(jié)構(gòu)可以包括位于基底上的下電極、位于基底上的介電層以及位于介電層上的上電極。下電極可以包括具有化學(xué)式M
1N
y(M
1是第一金屬,y是正實數(shù))的金屬氮化物。介電層可以包括金屬氧化物和氮(N),金屬氧化物具有化學(xué)式M
2O
x(M
2是第二金屬,x是正實數(shù))。介電層中的氮(N)的檢測量的最大值可以比下電極中的氮(N)的檢測量的最大值大。
聲明:
“電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體裝置及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)